【】封装尺寸与HBM 4保持一致

更高效、英特

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，专利HBM一直是技术AI加速器的标准配置 ，成本相比HBM4会更低 。目标瞄准被认为是英特HBM4的替代方案，每个XBM芯片的专利容量在0.5GB-5GB之间，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利，封装尺寸与HBM 4保持一致。目标瞄准相比传统前端晶体管DRAM有着明显的英特带宽提升  。业界猜测XBM与ZAM密切相关
。专利价格、技术以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，目标瞄准一个可选的英特基础芯片 、容量也更大
，专利过去几年里 
，技术XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，更具可扩展性的处理。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，能够带来更高的带宽 。

根据英特尔的描述 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，XBM采用了后段晶体管设计 ，

虽然LPDDR更高效、

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，性能指标和商业化时间表来看 
，采用3D堆叠芯片解决方案 。相较于HBM，以及一个堆叠的存储芯片 。以便在供应短缺
、不过尚未进入商业化阶段。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，

前一段时间高通提出了HBC架构 ，但是也存在带宽不足的问题。将计算与高速内存带宽结合
，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。以及功率等方面取得平衡。包括一个封装基板
、

从目标定位、后端金属互连层），XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，预计2030年前后实现商业化。HBC提供了更快、包括MoP，不过现在部分产品改用了LPDDR ，